Фабрика за ДЕТЕКТОРИ, Доставчици - Китай Производители на ДЕТЕКТОРИ

355nm APD

Това е Si лавинен фотодиод с голяма фоточувствителна повърхност и подобрен UV.Осигурява висока чувствителност, варираща от UV до NIR.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
800nm APD

Това е Si лавинен фотодиод, който осигурява висока чувствителност, варираща от UV до NIR.Пиковата дължина на вълната на отговор е 800 nm.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
905nm APD

Това е Si лавинен фотодиод, който осигурява висока чувствителност, варираща от UV до NIR.Пиковата дължина на вълната на отговор е 905 nm.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
1064nm APD

Това е Si лавинен фотодиод, който осигурява висока чувствителност, варираща от UV до NIR.Пиковата дължина на вълната на отговор е 1064 nm.Отзивчивост: 36 A/W при 1064 nm.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
1064nm APD модули

Това е подобрен Si лавинен фотодиоден модул със схема за предварително усилване, която позволява слаб токов сигнал да бъде усилен и преобразуван в сигнал на напрежение, за да се постигне процеса на преобразуване на усилване на фотон-фотоелектричен сигнал.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
InGaAs APD модули

Това е лавинен фотодиоден модул от индиев галиев арсенид със схема за предварително усилване, който позволява слаб токов сигнал да бъде усилен и преобразуван в сигнал на напрежение, за да се постигне процеса на преобразуване на усилване на фотонен фотоелектричен сигнал.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
APD с четири квадранта

Състои се от четири еднакви блока Si лавинен фотодиод, който осигурява висока чувствителност, варираща от UV до NIR.Пиковата дължина на вълната на отговор е 980 nm.Отзивчивост: 40 A/W при 1064 nm.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
Четириквадрантни APD модули

Състои се от четири еднакви единици от Si лавинен фотодиод с предварително усилваща верига, която позволява слаб токов сигнал да бъде усилен и преобразуван в сигнал на напрежение, за да се постигне процеса на преобразуване на усилване на фотон-фотоелектричен сигнал.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
850nm Si PIN модули

Това е 850nm Si PIN фотодиоден модул със схема за предварително усилване, която позволява слаб токов сигнал да бъде усилен и преобразуван в сигнал на напрежение, за да се постигне процеса на преобразуване на усилване на фотон-фотоелектричен сигнал.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
900nm Si PIN фотодиод

Това е Si PIN фотодиод, който работи при обратно отклонение и осигурява висока чувствителност, варираща от UV до NIR.Пиковата дължина на вълната на отговор е 930 nm.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
1064nm Si PIN фотодиод

Това е Si PIN фотодиод, който работи при обратно отклонение и осигурява висока чувствителност, варираща от UV до NIR.Пиковата дължина на вълната на отговор е 980 nm.Отзивчивост: 0.3A/W при 1064 nm.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
Fiber Si PIN модули

Оптичният сигнал се преобразува в токов сигнал чрез въвеждане на оптично влакно.Si PIN модулът е със схема за предварително усилване, която позволява слаб токов сигнал да бъде усилен и преобразуван в сигнал на напрежение, за да се постигне процеса на преобразуване на усилване на фотон-фотоелектричен сигнал.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл