ПРОДУКТИ Фабрика, Доставчици - Китай ПРОДУКТИ Производители

InGaAs APD модули

Това е лавинен фотодиоден модул от индиев галиев арсенид със схема за предварително усилване, който позволява слаб токов сигнал да бъде усилен и преобразуван в сигнал на напрежение, за да се постигне процеса на преобразуване на усилване на фотонен фотоелектричен сигнал.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
APD с четири квадранта

Състои се от четири еднакви блока Si лавинен фотодиод, който осигурява висока чувствителност, варираща от UV до NIR.Пиковата дължина на вълната на отговор е 980 nm.Отзивчивост: 40 A/W при 1064 nm.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
Четириквадрантни APD модули

Състои се от четири еднакви единици от Si лавинен фотодиод с предварително усилваща верига, която позволява слаб токов сигнал да бъде усилен и преобразуван в сигнал на напрежение, за да се постигне процеса на преобразуване на усилване на фотон-фотоелектричен сигнал.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
850nm Si PIN модули

Това е 850nm Si PIN фотодиоден модул със схема за предварително усилване, която позволява слаб токов сигнал да бъде усилен и преобразуван в сигнал на напрежение, за да се постигне процеса на преобразуване на усилване на фотон-фотоелектричен сигнал.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
900nm Si PIN фотодиод

Това е Si PIN фотодиод, който работи при обратно отклонение и осигурява висока чувствителност, варираща от UV до NIR.Пиковата дължина на вълната на отговор е 930 nm.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
1064nm Si PIN фотодиод

Това е Si PIN фотодиод, който работи при обратно отклонение и осигурява висока чувствителност, варираща от UV до NIR.Пиковата дължина на вълната на отговор е 980 nm.Отзивчивост: 0.3A/W при 1064 nm.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
Fiber Si PIN модули

Оптичният сигнал се преобразува в токов сигнал чрез въвеждане на оптично влакно.Si PIN модулът е със схема за предварително усилване, която позволява слаб токов сигнал да бъде усилен и преобразуван в сигнал на напрежение, за да се постигне процеса на преобразуване на усилване на фотон-фотоелектричен сигнал.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
Четириквадрантен Si PIN

Състои се от четири еднакви блока Si PIN фотодиод, който работи в обратна посока и осигурява висока чувствителност, варираща от UV до NIR.Пиковата дължина на вълната на отговор е 980 nm.Отзивчивост: 0,5 A/W при 1064 nm.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
Четириквадрантни Si PIN модули

Състои се от единични или удвоени четири еднакви единици от Si PIN фотодиод със схема за предварително усилване, която позволява слаб токов сигнал да бъде усилен и преобразуван в сигнал за напрежение, за да се постигне процесът на преобразуване на усилване на фотон-фотоелектричен сигнал.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
UV подобрен Si PIN

Това е Si PIN фотодиод с подобрен UV, който работи в обратна посока и осигурява висока чувствителност, варираща от UV до NIR.Пиковата дължина на вълната на отговор е 800 nm.Отзивчивост: 0,15 A/W при 340 nm.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
1064nm YAG лазер -15mJ-5

Това е пасивно Q-превключен Nd: YAG лазер с дължина на вълната 1064nm, ≥15mJ пикова мощност, 1~5hz (регулируема) честота на повторение на импулса и ≤8mrad ъгъл на отклонение.В допълнение, той е малък и лек лазер и може да постигне висока енергийна мощност, което може да бъде идеален източник на светлина за обхват на разстояние за някои сценарии, които имат строги изисквания за обем и тегло, като индивидуална битка и UAV, приложими в някои сценарии.

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл
1064nm YAG лазер-15mJ-20

Това е Nd:YAG лазер с пасивно Q-превключване с дължина на вълната 1064nm, пикова мощност ≥15mJ и ъгъл на отклонение ≤8mrad.В допълнение, това е малък и лек лазер, който може да бъде идеален източник на светлина на дълги разстояния с висока честота (20Hz).

РАЗСЛЕДВАНЕ детайл