800nmAPD еднотръбна серия
| Фотоелектрични характеристики (＠Ta＝22±3℃) | |||||
| Модел | GD5210Y-1-2-T046 | GD5210Y-1-5-T046 | GD5210Y-1-2-LCC3 | GD5210Y-1-5 -LCC3 | |
| Форма за пакет | ТО-46 | ТО-46 | LCC3 | LCC3 | |
| Диаметър на фоточувствителната повърхност (mm) | 0,23 | 0,50 | 0,23 | 0,50 | |
| Диапазон на спектрален отговор (nm) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | |
| Дължина на вълната на пикова реакция (nm) | 800 | 800 | 800 | 800 | |
| λ=800nm Φ=1μW M=100(A/W) | 55 | 55 | 55 | 55 | |
| Тъмно течение | Типично | 0,05 | 0,10 | 0,05 | 0,10 |
| M=100(nA) | Максимум | 0,2 | 0,4 | 0,2 | 0,4 |
| Време за реакция λ=800nm R1=50Ω(ns) | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | |
| Температурен коефициент на работно напрежение T=-40℃~85℃(V/℃) | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | |
| Общ капацитет M=100 f=1MHz(pF) | 1.5 | 3.0 | 1.5 | 3.0 | |
| Пробивно напрежение IR=10μA(V) | минимум | 80 | 80 | 80 | 80 |
| Максимум | 160 | 160 | 160 | 160 | |
Структура на чип от предната равнина
Висока скорост на реакция
Висока печалба
Нисък капацитет на прехода
Нисък шум
Лазерно определяне на разстояние
Лидар
Лазерно предупреждение
