905nmAPD еднотръбна серия

Модел: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P / GD5210Y-2-5-P

Кратко описание:

Устройството е силициев лавинен фотодиод, спектралната реакция варира от видима светлина до близка инфрачервена светлина, а пиковата дължина на вълната е 905 nm.

вземете оферта Изтегли

Технически параметър

ХАРАКТЕРИСТИКА

ПРИЛОЖЕНИЕ

Продуктови етикети

Фотоелектрични характеристики (＠Ta＝22±3℃)
Модел		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Масив
Форма за пакет		ТО-46	ТО-46	ТО-46	LCC3	LCC3	пластмасови опаковки	пластмасови опаковки	PCB
Диаметър на фоточувствителната повърхност (mm)		0,23	0,50	0,80	0,23	0,50	0,23	0,50	персонализирани
Диапазон на спектрален отговор (nm)		400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100
Дължина на вълната на пикова реакция (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Отзивчивост λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Тъмен ток M=100(nA)	Типично	0,2	0,4	0,8	0,2	0,4	0,2	0,4	Според фоточувствителността
Тъмен ток M=100(nA)	Максимум	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Една страна
Време за реакция λ=905nm R1=50Ω(ns)		0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	Според фоточувствителната повърхност
Температурен коефициент на работно напрежение T=-40℃~85℃(V/℃)		0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9
Общ капацитет M=100 f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Според фоточувствителната повърхност
пробивно напрежение IR=10μA(V)	минимум	130	130	130	130	130	130	130	160
пробивно напрежение IR=10μA(V)	Максимум	220	220	220	220	220	220	220	200

Предишен: 800nmAPD еднотръбна серия

Следващия: 1064nmAPD еднотръбна серия

Структура на чип от предната равнина

Висока скорост на реакция

Висока печалба

Нисък капацитет на прехода

Нисък шум

Размерът на масива и фоточувствителната повърхност могат да бъдат персонализирани

Лазерно определяне на разстояние

Лидар

Лазерно предупреждение